نانو کامپوزیت هیبریدی nio/pvc و nio/pva؛ گیت دی الکتریک ترانزیستور های اثر میدانی آلی (ofets )

پایان نامه
چکیده

در کار حاضر، نانو هیبریدهای کامپوزیتی پلی وینیل الکل/ اکسید نیکل و پلی وینیل کلرید/ اکسید نیکل با مقادیر متفاوت پی وی سی(pvc) و پی وی ای (pva)و در دماهای مختلف به روش سل- ژل سنتز شده اند. فازهای بلوری، بلورینگی و ویژیگی های الکتریکی نمونه ها با استفاده از تکنیک های میکروسکوپی روبشی الکترونی (sem)، نیروی اتمی (afm)، طیف نمایی فوریه مادون قرمز (ftir)، توزیع انرژی پرتو ایکس (edx) و الگوی پرتو ایکس (x- map) مشخصه یابی شده اند. نانوکامپوزیت های هیبریدی مزبور به عنوان مواد دی الکتریکی مابین صفحات خازن قرار داده شده و ثابت دی الکتریک، ظرفیت خازن، جریان نشتی، تحرک پذیری حامل ها، فاکتور کیفیت و توزیع نانوذرات اندازه گیری شده و یا بدست آمده اند، که نانو کامپوزیت هیبریدی nio/ pvc:2 ( و nio/pva:2) سنتز شده در دمای 80 درجه سانتی گراد، دارای ثابت دی الکتریک بالاتر 68 ( و 56)، مورفولوژی سطحی بهتر، ناهمواری سطحی کم تر و پایین تر بودن جریان نشتی می توانند به عنوان مواد گیت دی الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدانی مواد آلی آتی مورد استفاده قرار گیرند.

منابع مشابه

و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

متن کامل

و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی nio/pvcبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

متن کامل

رشد و مطالعه گیت دی الکتریک نانو ترانزیستور با آمونیاک

از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام ا...

15 صفحه اول

بررسی ویژگی‌های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت‌های دورگه‌ی Al2O3/PVP (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)

Al2O3/PVP nano-hybrid composite samples are synthesized using sol-gel method at 75°C. Weight percent of poly 4-vinyl phenol and aluminum oxide is 0.0, 0.28, 0.56, and 0.84. To study the nano-structural and electrical characteristics, X-ray diffraction, Fourier transfer infrared radiation, scanning electron microscopy, and atomic force microscopy are used. Dielectric constant of the samples is m...

متن کامل

کاهش جریان نشتی از گیت دی الکتریک نانو ترانزیستور cnt-fet

لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps...

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023